|
24.12.2007 |
Компания Infineon начала производство диодов Шоттки на основе карбида кремния (SiC) с номинальным напряжением 1200 В. С момента появления технологии SiC-диодов интерес к ней не угасает. Карбид кремния обладает намного более высоким пробивным напряжением по сравнению с традиционно используемым кремнием, что позволяет создавать более компактные приборы с одновременным улучшением их параметров.
Сегодня стали доступны диоды SiC от Infineon на 5 А и 7.5 А и номинальное напряжение 1200 В в виде пластин для установки в силовые модули.
Основные особенности:
Высокая скорость переключения, не зависящая от номинального тока, скорости его нарастания (dI/dt) и температуры
Положительный температурный коэффициент, позволяющий легко включать приборы в параллель
Отсутствие процессов прямого и обратного восстановления в результате максимального снижения паразитной емкости
Области применения:
Импульсные источники питания
Высоковольтные корректоры коэффициента мощности (ККМ) с режимом непрерывного тока
Источники бесперебойного питания (ИБП) и преобразователи для солнечных батарей
Промышленный электропривод
Высоковольтные умножители напряжения |
- Диоды
