Компания Vishay Intertechnology объявила о выпуске новой группы силовых MOSFET транзисторов в индустриальном исполнении с низким сопротивлением канала.

Это позволит упростить схемотехнику при одновременном увеличении длительности работы портативных электронных устройств от батарей. Новые изделия по напряжению включения выверены под безопасный и надёжный уровень напряжения для схем мобильной электроники 1.2-1.3 В. Это первые силовые MOSFET транзисторы, питающиеся непосредственно от шины 1.2 В, новые TrenchFET-ы позволяют исключить дополнительные внешние преобразующие цепи питания для устройств с автономным питанием до 1.8 В. В стандартных 1.5 вольтовых полевых транзисторах при падении напряжения затвор-исток до 1.2 вольт сопротивление канала возрастает экспоненциально. В новых же TrenchFET транзисторах при достижении указанного уровня 1.2 В гарантируется сопротивление:
0.041 Ома для n- канальных
0.095 Ома для p- канальных
при напряжении 1.5 В на затворе:
0.022 Ома для n- канальных
0.058 Ома для p- канальных

Имея исключительно миниатюрные собственные размеры 1.5мм * 1.5мм, новые изделия предназначены для применения в усилителях мощности, мобильных телефонах, карманных компьютерах, MP3 плеерах, цифровых камерах и другой портативной технике. 

Infineon анонсировал новое семейство 10-Ваттных RF Power транзисторов с улучшенными рабочими характеристиками и низкой стоимостью.
Семейство включает три LDMOS транзистора в пластмассовых RoHS совместимых корпусах типа TSSOP-10, работающих в диапазонах частот 450-960 МГц, 1000-2000 МГц, 2100-2170 МГц и соответствующих индустриальному стандарту.
Данные устройства обеспечивают превосходную тепловую стабильность.

PTF080101M

- 10 Вт GOLDMOS FET транзистор, предназначенный для EDGE применений, работающих в диапазоне частот 860 - 960 МГц (pdf)



Типовые характеристики для EDGE применений:

средняя выходная мощность: 5.0 Вт

коэффициент усиления: 19 дБ

коэффициент полезного действия: 37%

Типовые характеристики для CW применений:

выходная мощность (P-1dB): 12.5 Вт

коэффициент усиления: 18 дБ

коэффициент полезного действия: 50%

PTF180101M

- 10 Вт GOLDMOS FET транзистор, предназначенный для построения базовых станций класса AB, функционирующих в диапазоне частот 1 - 2 ГГц. (pdf)



Типовые характеристики для EDGE применений:

средняя выходная мощность: 4.0 Вт

коэффициент усиления: 17 дБ

коэффициент полезного действия: 31%

Типовые характеристики для CW применений:

выходная мощность (P-1dB): 10.0 Вт

коэффициент усиления: 16 дБ

коэффициент полезного действия: 50%

PTF210101M

- 10 Вт GOLDMOS FET транзистор, предназначенный для построения базовых станций класса AB, функционирующих в частотном диапазоне 2110 - 2170 МГц. (pdf)



Типовые характеристики для WCDMA применений:

средняя выходная мощность: 2.0 Вт

коэффициент усиления: 15 дБ

коэффициент полезного действия: 20%

Типовые характеристики для CW применений:

выходная мощность (P-1dB): 10.0 Вт

коэффициент усиления: 14 дБ

коэффициент полезного действия: 50%